NTBG1000N170M1 onsemi | 单 FET，MOSFET

NTBG1000N170M1
DigiKey 零件编号	5556-NTBG1000N170M1TR-ND - 卷带（TR） 5556-NTBG1000N170M1CT-ND - 剪切带（CT） 5556-NTBG1000N170M1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTBG1000N170M1
描述	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1700 V 4.3A（Tc） 51W（Tc） D2PAK-7
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	DigiKey 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.43 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.3V @ 640µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	150 pF @ 1000 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	51W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D2PAK-7
封装/外壳	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA

NTBG1000N170M1