NTB65N02RT4G onsemi | 单 FET，MOSFET

NTB65N02RT4G 已经过时且不再制造。

可用替代品:

类似

Nexperia USA Inc.

现货: 163

单价: $3.13000

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.5 nC @ 4.5 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1330 pF @ 20 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1.04W（Ta），62.5W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 25 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.6A（Tc）	供应商器件封装 D2PAK
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.2 毫欧 @ 30A，10V	基本产品编号 NTB65

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (1)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
PSMN4R3-30BL,118	Nexperia USA Inc.	163	1727-7116-1-ND	$3.13000	类似

过期

市场库存： 4,000 立即查看

此产品已停产。查看替代品或替代包装类型。

不可取消/不可退货

在 Digi-Key 的其他供应商

4,000现货

由 Rochester Electronics, LLC 发货