NSBA114EDXV6T5G 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 107,188
单价: $0.52000
规格书

直接


Diodes Incorporated
现货: 3,000
单价: $0.92000
规格书

直接


Nexperia USA Inc.
现货: 4,000
单价: $0.63000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 2,850
单价: $0.86000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 21,966
单价: $0.77000
规格书
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

NSBA114EDXV6T5G

DigiKey 零件编号
NSBA114EDXV6T5GOS-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
NSBA114EDXV6T5G
描述
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563
规格书
 规格书
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
35 @ 5mA,10V
制造商
onsemi
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
包装
卷带(TR)
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
零件状态
停产
功率 - 最大值
500mW
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式(双)
安装类型
表面贴装型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
供应商器件封装
SOT-563
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
基本产品编号
电阻器 - 发射极 (R2)
10 千欧
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (5)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
NSBA114EDXV6T1Gonsemi107,188488-NSBA114EDXV6T1GCT-ND$0.52000类似
DDA114TH-7Diodes Incorporated3,000DDA114TH-7DICT-ND$0.92000直接
PEMB11,115Nexperia USA Inc.4,0001727-6498-1-ND$0.63000直接
DDA143TH-7Diodes Incorporated2,850DDA143TH-7DICT-ND$0.86000类似
EMB11T2RRohm Semiconductor21,966EMB11T2RCT-ND$0.77000类似
过期
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