MTB50P03HDLT4G 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Infineon Technologies
现货: 4,427
单价: $6.80000
规格书

类似


IXYS
现货: 359
单价: $12.55000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,664
单价: $5.32000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 8,725
单价: $8.26000
规格书
表面贴装型 P 通道 30 V 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 P 通道 30 V 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
D²Pak,TO-263_418B−04

MTB50P03HDLT4G

DigiKey 零件编号
MTB50P03HDLT4GOSTR-ND - 卷带(TR)
MTB50P03HDLT4GOSCT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
MTB50P03HDLT4G
描述
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 30 V 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
100 nC @ 5 V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Vgs(最大值)
±15V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4900 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),125W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
30 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
D2PAK
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 25A,5V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (4)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRF5210STRLPBFInfineon Technologies4,427IRF5210STRLPBFCT-ND$6.80000类似
IXTA76P10TIXYS359238-IXTA76P10T-ND$12.55000类似
SPD50P03LGBTMA1Infineon Technologies2,664SPD50P03LGBTMA1CT-ND$5.32000类似
SUM110P04-04L-E3Vishay Siliconix8,725SUM110P04-04L-E3CT-ND$8.26000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品替代包装类型
不可取消/不可退货