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ISL9N303AS3ST 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 172 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7000 pF @ 15 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 215W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 30 V | 供应商器件封装 TO-263（D2PAK） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
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替代品 (5)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7114-1-ND | $3.72000 | 类似 |
| PSMN3R4-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | 5 | 1727-7115-1-ND | $3.03000 | 类似 |
| PSMN3R4-30BLE,118 | Nexperia USA Inc. | 216 | 1727-1102-1-ND | $4.47000 | 类似 |
| STB80NF03L-04T4 | STMicroelectronics | 53 | 497-7952-1-ND | $6.58000 | 类似 |
| STD155N3LH6 | STMicroelectronics | 2,500 | 497-11308-1-ND | $3.39000 | 类似 |
过期
不可取消/不可退货
