HUF75639S3 onsemi | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 130 nC @ 20 V
系列 UltraFET™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2000 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 200W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-262（I2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 56A（Tc）	封装/外壳 TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 HUF75639
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 毫欧 @ 56A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
HUF75639S3ST	onsemi	0	HUF75639S3STCT-ND	$5.06000	MFR Recommended

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HUF75639S3