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FDV303N_NB9U008 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2.3 nC @ 4.5 V |
包装 卷带（TR） | Vgs（最大值） 8V |
零件状态 停产 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 50 pF @ 10 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 350mW（Ta） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 25 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 SOT-23-3 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 450 毫欧 @ 500mA，4.5V | 基本产品编号 |
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替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDV303N | onsemi | 432,122 | FDV303NCT-ND | $0.44000 | 直接 |
| BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BSH103,215CT-ND | $0.66000 | 类似 |
| BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BSH103,235CT-ND | $0.66000 | 类似 |
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | 363,407 | IRLML2803PBFCT-ND | $0.69000 | 类似 |
过期
不可取消/不可退货
