FDT461N onsemi | 单 FET，MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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单价: $1.25000

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 74 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 1.13W（Ta）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 SOT-223-4
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 540mA（Ta）	封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 FDT46
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 欧姆 @ 540mA，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSP122,115	Nexperia USA Inc.	0	1727-5406-1-ND	$1.25000	类似

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FDT461N