FDPF7N60NZ 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 592
单价: $4.67000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 997
单价: $3.29000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 97
单价: $3.29000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 70
单价: $1.69000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 997
单价: $4.85000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,867
单价: $2.86000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,898
单价: $2.42000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 826
单价: $7.45000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $2.90000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 4
单价: $3.62000
规格书
TO-220F-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

FDPF7N60NZ

DigiKey 零件编号
FDPF7N60NZ-ND
制造商
制造商产品编号
FDPF7N60NZ
描述
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 6.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.25 欧姆 @ 3.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
730 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
33W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
基本产品编号
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