Name: FDMS8023S
Brand: onsemi
SKU: FDMS8023STR-ND
Price: 2.5397 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDMS8023S
DigiKey 零件编号	FDMS8023STR-ND - 卷带（TR） FDMS8023SCT-ND - 剪切带（CT） FDMS8023SDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDMS8023S
描述	MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
原厂标准交货期	52 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 26A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6）
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 1mA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 57 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®, SyncFET™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3550 pF @ 15 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），59W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Ta），49A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 FDMS8023
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.4 毫欧 @ 26A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (8)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSC025N03LSGATMA1	Infineon Technologies	2,015	BSC025N03LSGATMA1CT-ND	$2.63000	直接
BSC025N03MSGATMA1	Infineon Technologies	139	BSC025N03MSGATMA1CT-ND	$2.59000	类似
BSZ0901NSATMA1	Infineon Technologies	1,012	BSZ0901NSATMA1CT-ND	$2.02000	类似
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3,400	296-43635-1-ND	$2.73000	类似
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	$3.29000	类似