FDMC3020DC 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 卷带(TR) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1385 pF @ 15 V |
零件状态 停产 | 功率耗散(最大值) 3W(Ta),50W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 30 V | 供应商器件封装 Dual Cool ™ 33 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.25 毫欧 @ 12A,10V |
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替代品 (7)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E170GNTB | Rohm Semiconductor | 1,533 | 846-RS1E170GNTBCT-ND | $1.47000 | 直接 |
| CSD17552Q3A | Texas Instruments | 7,860 | 296-34990-1-ND | $2.35000 | 类似 |
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | 2,558 | 296-39997-1-ND | $1.39000 | 类似 |
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | 3,976 | 296-38462-1-ND | $2.81000 | 类似 |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | 3,622 | RQ3E130BNTBCT-ND | $1.23000 | 类似 |
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