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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5 nC @ 4.5 V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1680 pF @ 10 V |
包装 卷带(TR) | 功率耗散(最大值) 1.9W(Ta) |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
FET 类型 | 安装类型 表面贴装型 |
技术 | 供应商器件封装 6-MicroFET(2x2) |
漏源电压(Vdss) 20 V | 封装/外壳 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
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