FDG6332C-F085 onsemi | FET、MOSFET 阵列

FDG6332C-F085 已经过时且不再制造。

可用替代品:

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产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.5nC @ 4.5V
系列 PowerTrench®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 113pF @ 10V
包装卷带（TR）	功率 - 最大值 300mW
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
配置 N 和 P 沟道	资质 AEC-Q101
FET 功能逻辑电平门	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 20V	封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 700mA，600mA	供应商器件封装 SC-88（SC-70-6）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 700mA，4.5V	基本产品编号 FDG6332