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FDD86580-F085 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1430 pF @ 30 V |
包装 卷带（TR） | 功率耗散（最大值） 75W（Tj） |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 60 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-252AA |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 19 毫欧 @ 50A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.2V @ 250µA |
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替代品 (13)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS9D3N06CLTWG | onsemi | 2,073 | 488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND | $2.32000 | MFR Recommended |
| AOD442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 317,454 | 785-1107-1-ND | $1.80000 | 类似 |
| DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | 159 | 31-DMN6017SK3-13CT-ND | $1.40000 | 类似 |
| DMNH6021SK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMNH6021SK3-13-ND | $0.41823 | 类似 |
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 3,192 | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | $2.04000 | 类似 |
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