FDD6670A onsemi | 分立半导体产品

FDD6670A
DigiKey 零件编号	FDD6670ATR-ND - 卷带（TR） FDD6670ACT-ND - 剪切带（CT）
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD6670A
描述	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Ta），66A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15A（Ta），66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1755 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），63W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 155°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	FDD6670