FDB86366-F085 onsemi | 分立半导体产品

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FDB86366-F085
DigiKey 零件编号	FDB86366-F085TR-ND - 卷带（TR） FDB86366-F085CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB86366-F085
描述	MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 110A（Tc） 176W（Tj） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDB86366-F085 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.6 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	112 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6280 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	176W（Tj）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	FDB86366