FDB8132_F085 onsemi | 单 FET，MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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Renesas Electronics Corporation

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类似

Nexperia USA Inc.

现货: 0

单价: $7.24000

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 350 nC @ 13 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
系列 PowerTrench®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 14100 pF @ 15 V
包装卷带（TR）	功率耗散（最大值） 341W（Tc）
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.6 毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 FDB813
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

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替代品 (3)

零件编号	制造商	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BUK761R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	1727-7133-2-ND	$2.97660	直接
NP110N03PUG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	NP110N03PUG-E1-AY-ND	$3.79363	类似
PSMN1R5-30BLEJ	Nexperia USA Inc.	1727-1101-1-ND	$7.24000	类似

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FDB8132_F085