类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
系列 PowerTrench®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 25 V
包装卷带（TR）	功率耗散（最大值） 310W（Tc）
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta）	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 FDB3632
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BUK768R1-100E,118	Nexperia USA Inc.	5,764	1727-1062-1-ND	$5.46000	直接
BUK969R3-100E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-1064-2-ND	$1.78719	类似
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	2,421	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	$4.13000	类似
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	$10.33000	类似
RSJ650N10TL	Rohm Semiconductor	260	RSJ650N10TLCT-ND	$11.04000	类似

FDB3632-F085