FDB045AN08A0-F085 onsemi | 单 FET，MOSFET

FDB045AN08A0-F085
DigiKey 零件编号	FDB045AN08A0-F085TR-ND - 卷带（TR） FDB045AN08A0-F085CT-ND - 剪切带（CT） FDB045AN08A0-F085DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB045AN08A0-F085
描述	MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 75 V 19A（Ta） 310W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	138 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6600 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	310W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	FDB045