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FCH22N60N 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1950 pF @ 100 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 205W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-247-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 165 毫欧 @ 11A，10V |
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替代品 (11)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL120N60S5Z | onsemi | 259 | 488-NTHL120N60S5Z-ND | $9.83000 | MFR Recommended |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 88 | IPW60R190E6FKSA1-ND | $6.16000 | 类似 |
| IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | 2 | IRFP22N60KPBF-ND | $12.48000 | 类似 |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 357 | 238-IXFH50N60P3-ND | $18.75000 | 类似 |
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | 1 | R6024KNZ1C9-ND | $6.45000 | 类似 |
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