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EMD4DXV6T5G 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
EMD4DXV6T5G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | EMD4DXV6T5G-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | EMD4DXV6T5G |
描述 | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | EMD4DXV6T5G 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） | |
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | |
电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | |
电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧，10 千欧 | |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V | |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | |
电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | |
频率 - 跃迁 | - | |
功率 - 最大值 | 500mW | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | |
供应商器件封装 | SOT-563 | |
基本产品编号 |
新加坡