EMD4DXV6T5 没有现货,且当前不提供缺货下单。
可用替代品:
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | DigiKey 停止提供 | |
晶体管类型 | 1 NPN,1 PNP - 预偏置 | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | |
电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 | |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V | |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | |
频率 - 跃迁 | - | |
功率 - 最大值 | 357mW | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | |
供应商器件封装 | SOT-563 |
0 现货



