ATP202-TL-H onsemi | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1650 pF @ 10 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 40W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 ATPAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Ta）	封装/外壳 ATPAK（2 引线 + 凸片）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 ATP202
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 12 毫欧 @ 25A，10V