PXN6R7-30QLJ Nexperia USA Inc. | 单 FET，MOSFET

PXN6R7-30QLJ 没有现货，且当前不提供缺货下单。

可用替代品:

类似

Texas Instruments

现货: 3,907

单价: $1.41000

类似

Texas Instruments

现货: 2,765

单价: $1.39000

类似

Taiwan Semiconductor Corporation

现货: 15,616

单价: $1.34000

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

PXN6R7-30QLJ
DigiKey 零件编号	1727-PXN6R7-30QLJTR-ND - 卷带（TR） 1727-PXN6R7-30QLJCT-ND - 剪切带（CT） 1727-PXN6R7-30QLJDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Nexperia USA Inc.
制造商产品编号	PXN6R7-30QLJ
描述	PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 12.7A（Ta），62A（Tc） 1.7W（Ta），40.3W（Tc） MLPAK33
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.7 毫欧 @ 12.7A，10V
制造商 Nexperia USA Inc.	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
系列 TrenchMOS™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24.8 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1150 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），40.3W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.7A（Ta），62A（Tc）	供应商器件封装 MLPAK33
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
CSD17577Q3A	Texas Instruments	3,907	296-39995-1-ND	$1.41000	类似
CSD17578Q3A	Texas Instruments	2,765	296-39997-1-ND	$1.39000	类似
TSM085N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	15,616	TSM085N03PQ33RGGCT-ND	$1.34000	类似

现货: 0

由于临时供应限制，我们无法接受进行缺货订购，且目前产品的交货期不确定。查看替代品。

PXN6R7-30QLJ