类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
制造商 Nexperia USA Inc.	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 101 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6793 pF @ 12 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 270W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 80 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）	供应商器件封装 TO-220AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 毫欧 @ 15A，10V	基本产品编号 PSMN5R0

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
CSD19505KCS	Texas Instruments	1,042	296-37287-5-ND	$6.05000	类似
FDP045N10A-F102	onsemi	972	FDP045N10A-F102-ND	$7.04000	类似
HUF75542P3	onsemi	459	HUF75542P3-ND	$5.91000	类似
HUF75545P3	onsemi	0	HUF75545P3-ND	$5.13000	类似
IPP120N08S404AKSA1	Rochester Electronics, LLC	16,972	2156-IPP120N08S404AKSA1-ND	$3.09878	类似

PSMN5R0-80PS,127