PSMN3R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. | 分立半导体产品

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Nexperia USA Inc.
系列	-
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8079 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	306W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	PSMN3R0