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PHB18NQ10T,118 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
PHB18NQ10T,118 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | PHB18NQ10T,118-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | PHB18NQ10T,118 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 79W（Tc） D2PAK |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 633 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 79W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 100 V | 供应商器件封装 D2PAK |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 9A，10V |
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替代品 (12)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB047N10 | onsemi | 22 | FDB047N10CT-ND | $309.66000 | 类似 |
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| FDB3632 | onsemi | 634 | FDB3632CT-ND | $263.21000 | 类似 |
| FDB3682 | onsemi | 1,324 | FDB3682FSCT-ND | $197.11000 | 类似 |
| FQB33N10LTM | onsemi | 100 | FQB33N10LTMCT-ND | $147.09000 | 类似 |
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