PEMH11,315 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 2,855
单价: $0.52000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 2,980
单价: $0.66000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 2,091
单价: $0.66000
规格书

类似


onsemi
现货: 19,890
单价: $0.52000
规格书

类似


onsemi
现货: 40,000
单价: $0.10160
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: $0.52000
规格书

类似


onsemi
现货: 39,761
单价: $0.10160
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 6,362
单价: $0.33000
规格书
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装型 SOT-666
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

PEMH11,315

DigiKey 零件编号
PEMH11,315-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
PEMH11,315
描述
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装型 SOT-666
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
30 @ 5mA,5V
制造商
Nexperia USA Inc.
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
150mV @ 500µA,10mA
包装
卷带(TR)
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
零件状态
不适用于新设计
功率 - 最大值
300mW
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
安装类型
表面贴装型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
供应商器件封装
SOT-666
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
基本产品编号
电阻器 - 发射极 (R2)
10 千欧
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
NSBC114EDXV6T1Gonsemi2,855NSBC114EDXV6T1GOSCT-ND$0.52000直接
DDC114TH-7Diodes Incorporated2,98031-DDC114TH-7CT-ND$0.66000类似
DDC114YH-7Diodes Incorporated2,091DDC114YH-7DICT-ND$0.66000类似
NSBC114TDXV6T1Gonsemi19,890NSBC114TDXV6T1GOSCT-ND$0.52000类似
NSBC114TDXV6T5Gonsemi40,000NSBC114TDXV6T5GOS-ND$0.10160类似
按订单供货
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品替代包装类型
所有价格均以 SGD 计算
卷带(TR)
数量 单价总价
8,000$0.11219$897.52
16,000$0.10456$1,672.96
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.11219
含 VAT 单价:$0.12229