GAN111-650WSBQ
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GAN111-650WSBQ
Nexperia cascode GaN FETs

GAN111-650WSBQ

DigiKey 零件编号
1727-GAN111-650WSBQ-ND
制造商
制造商产品编号
GAN111-650WSBQ
描述
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 21A(Ta) 107W(Ta) TO-247-3L
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
114 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
336 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
107W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3L
封装/外壳
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现货: 77
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管件
数量 单价总价
1$17.76000$17.76
10$12.29500$122.95
50$9.95840$497.92
100$9.20720$920.72
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$17.76000
含 VAT 单价:$19.35840