GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | 单 FET，MOSFET

GAN063-650WSAQ 已经过时且不再制造。

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Nexperia USA Inc.

现货: 181

单价: $20.42000

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1mA
制造商 Nexperia USA Inc.	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1000 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 143W（Tc）
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34.5A（Tc）	供应商器件封装 TO-247-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 60 毫欧 @ 25A，10V	基本产品编号 GAN063