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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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二极管 - 齐纳 - 阵列 1 对共阳极 6.2 V 300 mW ±2% TO-236AB
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BZB84-B6V2-QR

DigiKey 零件编号
1727-BZB84-B6V2-QRTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
BZB84-B6V2-QR
描述
DIODE ZENER ARRAY 6.2V TO-236AB
客户内部零件编号
详细描述
二极管 - 齐纳 - 阵列 1 对共阳极 6.2 V 300 mW ±2% TO-236AB
规格书
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产品属性
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类别
阻抗(最大值)(Zzt)
10 Ohms
制造商
Nexperia USA Inc.
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
3 µA @ 4 V
系列
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
包装
卷带(TR)
工作温度
150°C(TJ)
零件状态
DigiKey 停止提供
等级
汽车级
配置
1 对共阳极
资质
AEC-Q101
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
6.2 V
安装类型
表面贴装型
容差
±2%
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
功率 - 最大值
300 mW
供应商器件封装
TO-236AB
环境与出口分类
产品问答
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替代品 (2)
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AZ23B6V2-HE3_A-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division0112-AZ23B6V2-HE3_A-08TR-ND$0.10223参数等效
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