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onsemi
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类似


Diodes Incorporated
现货: 108,736
单价: $0.29000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.36000
规格书

类似


Panjit International Inc.
现货: 79,787
单价: $0.16000
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类似


onsemi
现货: 11,393
单价: $1.10000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: $0.38000
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类似


Diotec Semiconductor
现货: 3,620
单价: $0.21000
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类似


Rohm Semiconductor
现货: 88,128
单价: $0.37000
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类似


Infineon Technologies
现货: 14,274
单价: $0.38000
规格书
表面贴装型 N 通道 55 V 210mA(Ta) 302mW(Ta) TO-236AB
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

BSH111BKR

DigiKey 零件编号
1727-2340-2-ND - 卷带(TR)
1727-2340-1-ND - 剪切带(CT)
1727-2340-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
BSH111BKR
描述
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 55 V 210mA(Ta) 302mW(Ta) TO-236AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSH111BKR 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
30 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
302mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
基本产品编号
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$0.33000$0.33
10$0.20000$2.00
100$0.12390$12.39
500$0.09056$45.28
1,000$0.07977$79.77
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.06602$198.06
6,000$0.05907$354.42
9,000$0.05552$499.68
15,000$0.05153$772.95
21,000$0.04917$1,032.57
30,000$0.04687$1,406.10
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.33000
含 VAT 单价:$0.35970