BC859BW,135 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


Diodes Incorporated
现货: 15,084
单价: $0.25000
规格书

直接


onsemi
现货: 2,528
单价: $0.25000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $0.06670
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 7,516
单价: $0.29000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 22,166
单价: $0.82000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 9
单价: $1.15000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 543,066
单价: $0.07620
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 1,579
单价: $0.25000
规格书
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
PMST2907A-QX

BC859BW,135

DigiKey 零件编号
BC859BW,135-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
BC859BW,135
描述
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
功率 - 最大值
200 mW
制造商
频率 - 跃迁
100MHz
包装
卷带(TR)
工作温度
150°C(TJ)
零件状态
在售
等级
汽车级
晶体管类型
资质
AEC-Q101
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
安装类型
表面贴装型
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
封装/外壳
SC-70,SOT-323
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
650mV @ 5mA,100mA
供应商器件封装
SOT-323
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA(ICBO)
基本产品编号
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
220 @ 2mA,5V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
BC858BW-7-FDiodes Incorporated15,08431-BC858BW-7-FCT-ND$0.25000直接
BC858BWT1Gonsemi2,528BC858BWT1GOSCT-ND$0.25000直接
2SA1588-O,LFToshiba Semiconductor and Storage02SA1588-OLFTR-ND$0.06670类似
2SA1588-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage7,5162SA1588-YLFCT-ND$0.29000类似
2SB1694T106Rohm Semiconductor22,1662SB1694T106CT-ND$0.82000类似
按订单供货
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卷带(TR)
数量 单价总价
10,000$0.03174$317.40
20,000$0.02851$570.20
30,000$0.02686$805.80
50,000$0.02501$1,250.50
70,000$0.02391$1,673.70
100,000$0.02284$2,284.00
250,000$0.02050$5,125.00
500,000$0.01905$9,525.00
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.03174
含 VAT 单价:$0.03460