MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1846W(Tc),1161W(Tc) 底座安装
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MSCSM120HRM052NG

DigiKey 零件编号
150-MSCSM120HRM052NG-ND
制造商
制造商产品编号
MSCSM120HRM052NG
描述
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 472A
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1846W(Tc),1161W(Tc) 底座安装
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
4 个 N 通道(三级反相器)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV),700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
472A(Tc),442A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.2 毫欧 @ 240A,20V,4.8 毫欧 @ 160A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 18mA,2.4V @ 16mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1392nC @ 20V,860nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18100pF @ 1000V,18000pF @ 700V
功率 - 最大值
1846W(Tc),1161W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
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现货: 3
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管件
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