通孔 N 沟道,耗尽型 350 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
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DN2535N3-G

DigiKey 零件编号
DN2535N3-G-ND
制造商
制造商产品编号
DN2535N3-G
描述
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
原厂标准交货期
4 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 350 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DN2535N3-G 型号
产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 欧姆 @ 120mA,0V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
包装
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 25 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
350 V
供应商器件封装
TO-92(TO-226)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
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含 VAT 单价:$1.36250