IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 650 V 200 A 350 W 通孔 SP1
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APTGLQ100A65T1G

DigiKey 零件编号
APTGLQ100A65T1G-ND
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
APTGLQ100A65T1G
描述
IGBT MODULE 650V 200A 350W SP1
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 650 V 200 A 350 W 通孔 SP1
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 A
功率 - 最大值
350 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
基本产品编号
APTGLQ100
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含 VAT 单价:$91.62758