1N5525BE3 可以购买了，但通常没有现货。
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1N5525B-1
Microchip Technology
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1N5525B-1/TR
Microchip Technology
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1N5525BE3/TR
Microchip Technology
现货: 0
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JAN1N5525B-1
Microchip Technology
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单价: $7.77310
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JAN1N5525B-1/TR
Microchip Technology
现货: 0
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JAN1N5525C-1
Microchip Technology
现货: 0
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JAN1N5525C-1/TR
Microchip Technology
现货: 0
单价: $20.12990
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JAN1N5525D-1
Microchip Technology
现货: 0
单价: $24.88250
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JAN1N5525D-1/TR
Microchip Technology
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单价: $25.11480
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JANTX1N5525B-1
Microchip Technology
现货: 109
单价: $9.18000
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JANTX1N5525B-1/TR
Microchip Technology
现货: 0
单价: $10.43458
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JANTX1N5525C-1
Microchip Technology
现货: 0
单价: $25.87520
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JANTX1N5525C-1/TR
Microchip Technology
现货: 0
单价: $26.10760
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JANTX1N5525D-1
Microchip Technology
现货: 0
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二极管 - 齐纳 6.2 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

1N5525BE3

DigiKey 零件编号
150-1N5525BE3-ND
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
1N5525BE3
描述
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
二极管 - 齐纳 6.2 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
6.2 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-204AH（DO-35）
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