


MSJP20N65-BP | |
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DigiKey 零件编号 | 353-MSJP20N65-BP-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | MSJP20N65-BP |
描述 | MOSFET N-CH TO220AB |
原厂标准交货期 | 36 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 20A(Tc) 151W(Tc) TO-220AB(H) |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1724 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 151W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB(H) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $8.68000 | $8.68 |
| 50 | $4.60200 | $230.10 |
| 100 | $4.20820 | $420.82 |
| 500 | $3.51864 | $1,759.32 |
| 1,000 | $3.42588 | $3,425.88 |
| 不含 VAT 单价: | $8.68000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $9.46120 |


