


MSJP11N65-BP | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 353-MSJP11N65-BP-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | MSJP11N65-BP |
描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 11A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB(H) |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 901 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 78W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB(H) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.61000 | $3.61 |
| 50 | $1.77380 | $88.69 |
| 100 | $1.59510 | $159.51 |
| 500 | $1.28168 | $640.84 |
| 1,000 | $1.18095 | $1,180.95 |
| 2,000 | $1.09626 | $2,192.52 |
| 不含 VAT 单价: | $3.61000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.93490 |

