Name: IXTT16N50D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT16N50D2-ND
Price: 37.7794 SGD
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 240 毫欧 @ 8A，0V
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 199 nC @ 5 V
系列 Depletion	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5250 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 695W（Tc）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 500 V	供应商器件封装 TO-268AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）	封装/外壳 TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V	基本产品编号 IXTT16