IXTP20N65XM IXYS | 单 FET，MOSFET

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Category 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.5V @ 250µA
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V
系列 Ultra X	Vgs（最大值） ±30V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1390 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 63W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IXTP20
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 210 毫欧 @ 10A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IXTP20N65X2M	IXYS	0	238-IXTP20N65X2M-ND	$3.89987	MFR Recommended
FCP260N65S3	onsemi	774	FCP260N65S3-ND	$5.40000	类似
IPP60R280CFD7XKSA1	Infineon Technologies	278	448-IPP60R280CFD7XKSA1-ND	$4.33000	类似

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IXTP20N65XM