IXTH16N10D2 IXYS | 单 FET，MOSFET

IXTH16N10D2 已经过时且不再制造。

可用替代品:

MFR Recommended

IXYS

现货: 458

单价: $33.91000

类似

Infineon Technologies

现货: 0

单价: $4.18000

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 64 毫欧 @ 8A，0V
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 225 nC @ 5 V
系列 Depletion	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5700 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 830W（Tc）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 TO-247（IXTH）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）	封装/外壳 TO-247-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V	基本产品编号 IXTH16

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IXTH16N20D2	IXYS	458	238-IXTH16N20D2-ND	$33.91000	MFR Recommended
IRFP140NPBF	Infineon Technologies	0	IRFP140NPBF-ND	$4.18000	类似

过期

此产品已停产。查看替代品。

IXTH16N10D2