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IXTH13N80 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4500 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 300W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 800 V | 供应商器件封装 TO-247（IXTH） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 800 毫欧 @ 500mA，10V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH12N80P | IXYS | 0 | IXFH12N80P-ND | $6.65467 | 类似 |
| STW10NK80Z | STMicroelectronics | 521 | 497-3254-5-ND | $8.75000 | 类似 |
| STW12NK80Z | STMicroelectronics | 568 | 497-3256-5-ND | $9.92000 | 类似 |
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | 0 | 497-15160-5-ND | $7.61000 | 类似 |
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