TO-263AB
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IXTA6N100D2

DigiKey 零件编号
238-IXTA6N100D2-ND
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXTA6N100D2
描述
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 沟道，耗尽型 1000 V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263AA
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IXTA6N100D2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
IXYS
系列
Depletion
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道，耗尽型
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 欧姆 @ 3A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2650 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
IXTA6
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现货: 1,092
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$14.55000$14.55
50$8.10560$405.28
100$7.48580$748.58
500$6.78316$3,391.58
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$14.55000
含 VAT 单价:$15.85950