表面贴装型 N 沟道,耗尽型 1000 V 1.6A(Tj) 100W(Tc) TO-263HV
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IXTA1R6N100D2HV

DigiKey 零件编号
238-IXTA1R6N100D2HV-ND
制造商
制造商产品编号
IXTA1R6N100D2HV
描述
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 沟道,耗尽型 1000 V 1.6A(Tj) 100W(Tc) TO-263HV
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 欧姆 @ 800mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
645 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263HV
封装/外壳
基本产品编号
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现货: 2,089
厂方库存:1,300
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管件
数量 单价总价
1$8.83000$8.83
50$4.69520$234.76
100$4.29630$429.63
500$3.59754$1,798.77
1,000$3.52295$3,522.95
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$8.83000
含 VAT 单价:$9.62470