IXFX62N25 IXYS | 分立半导体产品

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	IXYS
系列	HiPerFET™
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	35 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6600 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	390W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PLUS247™-3
封装/外壳	TO-247-3 变式
基本产品编号	IXFX62