IXFX38N80Q2 IXYS | 分立半导体产品

通孔 N 通道 800 V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247™-3

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IXFX38N80Q2
DigiKey 零件编号	IXFX38N80Q2-ND
制造商	IXYS
制造商产品编号	IXFX38N80Q2
描述	MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 800 V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247™-3
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	IXYS
系列	HiPerFET™, Q2 Class
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	220 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8340 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	735W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PLUS247™-3
封装/外壳	TO-247-3 变式
基本产品编号	IXFX38

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