Name: IXFT50N30Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFT50N30Q3-ND
Price: 29.0594 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6.5V @ 4mA
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 65 nC @ 10 V
系列 HiPerFET™, Q3 Class	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3165 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 690W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 300 V	供应商器件封装 TO-268AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）	封装/外壳 TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IXFT50
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 80 毫欧 @ 25A，10V