IXFN55N120SK IXYS | 单 FET，MOSFET

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	IXYS
系列	-
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42 毫欧 @ 40A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.6V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	107 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3360 pF @ 1000 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SOT-227B
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC