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IXFN30N110P 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IXFN30N110P | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IXFN30N110P-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IXFN30N110P |
描述 | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 底座安装 N 通道 1100 V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 15A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 235 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13600 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 695W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
供应商器件封装 | SOT-227B | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
过期
不可取消/不可退货
新加坡